檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "none".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="范慶麟" and ckeyword.raw="薄膜電晶體"
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於本論文中,我們探討不同交流訊號參數之非晶矽薄膜電晶體 (amorphous silicon thin film transistors) 在閘極 (gate) 交流與汲極 (drain) 交流電壓…
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金屬氧化物薄膜電晶體一般都採用下閘極上接觸式的結構,以防止TFT-LCD的背光源照射到通道層材料進而影響其電特性。另外在此下閘極結構中,因為要考慮到光罩間對位的誤差,而將其汲極和源極設計成與閘極各有…